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  • 氮化铝陶瓷氮化铝打孔划线

  • 简要介绍  氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

    详细参数 氮化铝陶瓷基片(AlN) AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

    氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

    主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

    产品特点 高导热性 热膨胀系数跟Si接近 优良的绝缘性能 较低介电常数和介质损耗 AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标 性能内容 性能指标 体积密度 (g/cm3) 3.335 抗热震性 无裂纹、炸裂 热导率 (30℃, W/m.k) ≥170 膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃) 2.805×10-6 抗折强度 (MPa) 382.7 体积电阻率(Ω.cm) 1.4×1014 介电常数(1MHz) 8.56 化学稳定性 (mg/cm2) 0.97 击穿强度 (KV/mm) 18.45 表面粗糙度(μm) 0.3~0.5 翘曲度(length‰) ≤2‰ 外观/颜色 致密、细晶/ 暗灰色 加工设备： 标签： 氮化铝打 氮化铝基   氮化铝打孔 氮化铝基片   深圳市陶瓷氮化铝   深圳市陶瓷氮化铝厂家
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